10月12日消息，据外媒报道，全球最大存储芯片制造商三星电子周二宣布，该公司开始使用极紫外光刻（EUV）技术批量生产业界最小的14纳米DRAM芯片，这有助于其巩固在存储行业的领导地位。

继去年3月出货业界首款EUV DRAM之后，三星电子已将EUV层的数量增加到5层，为其DDR5解决方案提供当今最精细、最先进的DRAM生产工艺。

DDR5是下一代DRAM标准，与DDR4相比，它具有速度快、密度高、功耗低的特点。它还针对大数据、人工智能（AI）和机器学习等数据密集型应用进行了优化。

三星电子表示，EUV技术减少了多图案绘制中的重复步骤，提高了图案绘制的准确性，从而实现了更好的性能和更高的产量，并缩短了开发时间。

三星电子还称，即将开始量产DDR5，并预计最新的工艺将使生产率提高20%，能耗降低近20%。利用最新的DDR5标准，三星14纳米DRAM将帮助解锁前所未有的高达7.2Gbps的速度，这是DDR4速度的2倍多。

三星电子高级副总裁兼DRAM产品与技术负责人Lee Joo-Young称：“通过专注关键的图形技术创新，我们已经引领了DRAM市场近30年。今天，三星用多层EUV实现了另一个技术里程碑，这是传统的氟化氩(ARF)工艺所不可能实现的壮举。”

他补充说：“在这一进步的基础上，我们将继续提供差异化程度最高的内存解决方案，充分满足5G、AI和元宇宙等数据驱动型领域对更高性能和容量的需求。”