2月10日，西部数据公司宣布已经成功开发第五代3D NAND技术“BiCS5”。据了解，BiCS5基于TLC和QLC技术构建而成，西部数据通过采用新技术和创新的制造工艺，利用第二代多层存储孔技术、改进的制造工艺流程以及其他3D NAND单元的增强功能，显著提高了整个晶圆水平面单元的阵列密度。这些“横向扩展”技术与112层垂直存储能力相结合，使BiCS5相比于西部数据上一代的96层BiCS4技术，其每片晶圆的存储容量提高了40%。

　　新的设计改进还提高了性能，使得BiCS5的I/O性能比BiCS4提升了50%。依托BiCS5技术，西部数据将推出基于3D NAND技术的个人电子产品、智能手机、IoT设备和数据中心等全方位系列产品。基于512 Gb的 BiCS5 TLC，西部数据目前已成功在消费级产品实现量产出货。预计到2020下半年，BiCS5将投入大规模量产，在车联网、移动设备和人工智能等领域，BiCS5将成为了更理想的选择。

　　西部数据存储技术与制造部门高级副总裁Steve Paak表示：“随着又一个十年的到来，新的3D NAND演进对于继续满足数据量的不断增长和性能的需求都至关重要。BiCS5的成功生产体现了西部数据在闪存技术方面的持续领导地位，以及对长期路标的高效执行力。通过利用多层存储孔技术来提高存储密度增加存储的层数，我们显著提高了3D NAND的容量和性能，从而不断满足用户期待的高可靠性和低成本。”