三星电子宣布，已完成开发全球首款32Gb(4GB) DDR5内存芯片，迄今业界密度最高，可据此打造1TB容量的内存条。

三星刚刚开始量产16Gb(2GB)容量的DDR5内存芯片，频率高达7200MT/s。不过三星并没有公布具体的产能，只是表示dram内存颗粒的产能目前已经满载，预计今年第四季度可以实现供货。

最新的32Gb DDR5内存芯片，继续采用12nm级别工艺制造，相比三星1983年推出的4Kb容量的第一款内存产品，容量已经增加了50多万倍！

此前的128GB DDR5内存条，必须使用TSV硅穿孔技术，堆叠多颗芯片才能达成，而现在有了单颗64Gb，就不需要TSV堆叠了，从而将功耗降低大约10％。

更进一步，使用8-Hi 3DS堆叠技术将8颗32Gb芯片整合在一起，然后在一条内存上安装32颗，就能达成单条1TB容量！而且这种方式不仅可以节省空间，还能提升系统运行速度，让手机更流畅。