三星主办的 2023 年欧洲三星代工论坛（SFF）上，展示了从先进 2nm 工艺到传统 8 英寸工艺在内的诸多代工解决方案，并展示了正在开发中的首款 5 纳米 eMRAM 车用存储。
eMRAM 是用于汽车应用的下一代存储半导体，可实现高读写速度以及卓越的耐热性。在这种情况下，我们的目标是通过提供一系列可扩展的解决方案，帮助客户更好地管理数据，从而提高生产力。
三星开发并量产业界首款基于 28nm FD-SOI 的 eMRAM 以来，一直在开发基于 AEC-Q100 Grade 1 的 FinFET 工艺的 14nm 工艺。
三星表示通过采用深沟槽隔离 (DTI)技术，尽可能地缩小每个薄膜晶体管之间的距离，以便最大限度可靠地发挥集成电路的功率半导体的性能。
三星代工厂将使用 120V（当前为 70V）的更大电压应用于更广泛的应用，并准备好在 2025 年之前提供实现 120V 至 130nm BCD 工艺的工艺开发套件 (PDK)。
