博世今日宣布，公司已着手扩产SiC功率半导体，目标产能在上亿颗水平。同时，博世开始研发功率密度更高的第二代SiC芯片，预计明年投入量产。公司也将成为唯一一家自主生产SiC芯片的汽车零部件供应商。
 
两年前，博世便宣布，将持续推进SiC芯片研发，并于今年初开始生产样品，供客户验证。据公司董事会成员透露，由于新能源车领域需求高涨，博世已获得“相当多的”SiC芯片订单——这也是其产能扩张的主要驱动力。
 
公司已为SiC芯片生产增建了1000平方米的无尘车间；公司计划2023年底再新建3000平方米无尘车间。
 
除此之外，扩大衬底晶圆面积也是博世提高生产效率的一个手段。目前，业内主要使用6英寸晶圆生产SiC半导体，8英寸晶圆则是发展方向。从6英寸到8英寸，每片晶圆可用制造面积几乎扩大一倍，产能近乎倍增。
 
汽车、光伏双驱动 SiC产业扩产动向频现
 
“上亿颗”是什么概念？
 
今年数据显示，三安集成完成从650V到1700V SiC二极管产品线布局，累计出货达百余万颗；今年4月，韩国第三代半导体厂商Yes Power与一家中国公司达成SiC芯片合作，预计到2025年12月，将向后者供应约8000万颗SiC芯片。
 
相较之下，足见博世的扩产野心。而在大规模扩产SiC这条路上，博世并不孤单。
 
就在11月23日，露笑科技、东尼科技相继发布公告，前者拟募资不超过29.4亿元，加大SiC投资力度，且其子公司合肥露笑已与东莞天域达成战略合作，形成三年不少于15万的战略采购订单。后者定增正式落地，募投项目就包含年产12万片的SiC半导体材料项目。
 
再向前推，昌盛电机、日本昭和电工、韩国SK集团等近期均宣布SiC相关扩产计划，且投资金额/产能扩张幅度均不低。