近日，在IEEE ISSCC国际固态电路大会上，三星展示其采用3nm工艺制造的芯片，是一颗256Gb(32GB)容量的SRAM存储芯片。该芯片使用的屙屎MBCFET，面积56平方毫米，功耗低，写入电流只需0.23V。
据透露，三星路线图上，14nm、10nm、7nm、3nm都是全新工艺节点，其他则是升级改善型，包括11/8/6/5/4nm等等。三星将在3nm工艺上第一次应用GAAFET(环绕栅极场效应晶体管)技术，再次实现了晶体管结构的突破，比现在的FinFET立体晶体管又是一大飞跃。
GAAFET技术又分为两种类型，一是常规GAAFET，使用纳米线(nanowire)作为晶体管的鳍(fin)，二是MBCFET(多桥通道场效应晶体管)，使用的鳍更厚更宽一些，称之为纳米片(nanosheet)。
