800V电气架构的革新将促使耐高压SiC功率器件全面替代Si IGBT，进而成为主驱逆变器标配，因此SiC深受车企追捧。Tier1厂商Delphi已率先实现800V SiC逆变器量产，BorgWarner、ZF、Vitesco相继跟进。
 
　　目前来看，电动车已成为SiC核心应用场景，其中OBC（车载充电器）和DC-DC转换器组件对于SiC器件的应用已经相对成熟，而基于SiC的主驱逆变器仍未进入大规模量产阶段。对此， STM、Infineon、Wolfspeed、Rohm等功率器件商已与Tier1及车企展开深入合作，以推进SiC上车进程。
 
　　其中，上游SiC衬底材料环节将成为产能关键制约点，其制程复杂、技术门槛高、晶体生长缓慢。现阶段用于功率器件的N型SiC衬底仍以6英寸为主，尽管Wolfspeed等国际IDM大厂8英寸进展超乎预期，但由于良率提升及功率晶圆厂由6英寸转8英寸需要一定的时间周期，因此，至少未来5年内6英寸SiC衬底都仍为主流。