由于摩尔定律在 7nm 以下已经难以维持以前的速度，后端封装工艺对于满足对低延迟、更高带宽和具有成本效益的半导体芯片的需求变得越来越重要。而扇出型封装因为能够提供具有更高 I / O 密度的更大芯片，大幅减少系统的尺寸，正成为应对异构集成挑战的不二之选。
 
扇出型封装的兴起
扇出（Fan-Out）的概念是相对于扇入（Fan-In）而言的，两者都遵循类似的工艺流程。当芯片被加工切割完毕之后，会放置在基于环氧树脂模制化合物的晶圆上，这被称为重构晶圆。然后, 在模制化合物上形成再分布层（RDL）。RDL 是金属铜连接走线，将封装各个部分进行电气连接。最后，重构晶圆上的单个封装就会被切割。
 
两者最大的差异就来自于 RDL 布线。在扇入型封装中，RDL 向内布线，而在扇出型封装中，RDL 既可向内又可向外布线。其结果就是，扇入型封装最大只能容许约 200 个 I / O，而扇出型封装可以实现更多的 I / O。
 
 
最早的扇出型封装是英飞凌在 2004 年提出的，被称为扇出型晶圆级封装（Fan-Out Wafer Level Packaging, FOWLP），在 2009 年开始进行商业化量产。但是，FOWLP 只被应用在手机基带芯片上，很快就达到了市场饱和。直到 2016 年，台积电在 FOWLP 基础上开发了集成扇出型（Integrated Fan-Out, InFO）封装，用于苹果 iPhone 7 系列手机的 A10 应用处理器。两者的强强联手终于将扇出型封装带向了新高度。