东芝已经开始运输其第三代3D NAND闪存芯片技术的样品，堆叠64层闪存电池，并且比上一代技术更高的容量超过了65％，它使用了48层。
 
“这增加了每个硅晶片的存储器容量，并导致降低每位的成本，”东芝在一个陈述中说。
 
东芝
基于TOSHIBA调用BICS（比特成本缩放）的垂直堆叠或3D技术，公司NAND闪存存储每个晶体管的三位数据，这意味着它是一个多级单元（MLC）闪存芯片。它可以存储每个芯片的512gbits（64GB）。
 
其一部分的BICS闪存产品线，新芯片还每芯片存储3位数据，每个芯片存储512千兆位或64GB。东芝的第二代BICS闪存芯片持有256GB（32GB）的容量。
 
该公司表示，新技术将启用1TB芯片，该芯片将用于创建企业和消费者SSD。新的512GB芯片设备的大规模生产计划于2017年下半年。
 
BICS Flash开发路线图中的下一个里程碑将是行业的最高容量芯片，一个1TB产品，具有单个包装中的16芯堆叠架构 – 换句话说，16个64GB芯片中的16个。Tosbhia表示计划于4月开始以其1TB芯片的运输样本。