日本企业研发7bpc闪存!150℃高温下数据能保存10年
SLC、MLC、TLC、QLC、PLCNAND闪存的发展大家应该都比较熟悉了,它们代表了每个单元能够存储的比特数据,密度越来越高,容量越来越大,当然可靠性、寿命越来越低。 SLC每单元1个比特(1bpc),需要2档电平;MLC每单元2个比特,需要4档电平,容量增加100%;TLC
SLC、MLC、TLC、QLC、PLCNAND闪存的发展大家应该都比较熟悉了,它们代表了每个单元能够存储的比特数据,密度越来越高,容量越来越大,当然可靠性、寿命越来越低。 SLC每单元1个比特(1bpc),需要2档电平;MLC每单元2个比特,需要4档电平,容量增加100%;TLC